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VCE

高真空エピタキシャル成長装置


VCE:高真空エピタキシャル成長装置

製品概要・特徴

米国シェブロンリサーチ社から導入した新コンセプトに基づき開発されたエピタキシャル成長装置です。超高真空プロセスによっ
て、原料ガスは分子線でウエハに供給されるため、高い膜厚均一性が得られ、微細な膜厚制御を実現します。シャワーヘッド方
式の採用により、大口径ウエハ成長への対応が可能です。

用途

窒素・酸素・アルゴン・水素の精製

仕様

真空到達度 10-8Paオーダー以下
基版サイズ ~φ300mm
基版加熱 抵抗輻射加熱方式(特殊PBNヒーター) ・ヒーター昇温レートMAX200℃ฺ/min以上

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